Obrovské partnerstvo v nanotechnológii

Obrovské partnerstvo v nanotechnológii: ASELSAN a Bilkent University založili spoločnú spoločnosť na výrobu vysokovýkonných nanotranzistorov. Spoločnosť bude vyrábať integrované obvody používané v radaroch, vysokorýchlostných vlakoch, elektrických vozidlách a 4G telefónnych systémoch.

Spoločnosť s názvom Mikro Nano Teknolojileri Sanayi ve Ticaret AŞ (AB-MikroNano) bola založená ASELSAN a Bilkent University na výrobu vysokovýkonných nano tranzistorov. Spoločnosť bude po prvýkrát v Turecku vyrábať tranzistory a integrované obvody z dusičnanu gálnatého, ktoré sa používajú v mnohých rôznych oblastiach, ako sú radary, vysokorýchlostné vlaky, elektrické autá a systémy mobilných telefónov 4G. Podľa vyhlásenia ASELSAN zmluvu o založení spoločnosti podpísali predseda predstavenstva ASELSAN Hasan Canpolat a rektor univerzity Bilkent Prof. DR. Abdullah Atalar to podpísal.

TESTY SÚ DOKONČENÉ

Nano tranzistorová technológia založená na polovodičovom materiáli dusičnanu gália, podporovaná TÜBİTAK a podsekretariátom pre obranný priemysel, bola vyvinutá na národnej úrovni spoločnosťami ASELSAN a Bilkent. Vysokovýkonné tranzistory boli vyrobené v Bilkent University Nanotechnology Research Center. Tranzistory, ktorých laboratórne testy boli ukončené, boli tiež úspešne použité v terénnych testoch vykonaných v ASELSAN. V dôsledku výsledkov získaných z vyrobených tranzistorov presahujúcich cieľové výkony sa manažmenty ASELSAN a Bilkent rozhodli v tomto smere založiť spoločnú spoločnosť. Následne vznikla spoločnosť AB-MikroNano.

POMENOVANÉ MEDZI PIATIMI KRAJINAMI

Spoločnosť AB-MikroNano, založená s investíciou 30 miliónov dolárov, bude po prvýkrát v Turecku vyrábať tranzistory a elektronické integrované obvody na komerčné účely. Exportovať sa budú aj produkty na báze nanotechnológií vyrábané spoločnosťou. Turecko, ktoré nedokázalo opustiť ligu spotrebiteľov vo svete, pokiaľ ide o tieto produkty v nanotechnológii, bude teraz v lige výrobcov. Medzitým je Turecko jednou z 5 krajín na svete, kde je možné vyvinúť technológiu nanotranzistorov založenú na polovodičovom materiáli dusičnanu gália.